Imprimer la page
BSS138-7-F
Power MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantBSS138-7-FCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4534
Bobine complète95AC8196
Mise en bobine12T1442RL
Bandes découpées12T1442
Votre numéro de pièce
122 581 En Stock
122 581 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,304 $ | 0,30 $ |
| Total Prix | 0,30 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,304 $ |
| 50+ | 0,192 $ |
| 100+ | 0,124 $ |
| 250+ | 0,108 $ |
| 500+ | 0,092 $ |
| 1000+ | 0,082 $ |
| 2500+ | 0,081 $ |
| 5000+ | 0,080 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,063 $ |
| 6000+ | 0,060 $ |
| 12000+ | 0,057 $ |
| 18000+ | 0,053 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantBSS138-7-FCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4534
Bobine complète95AC8196
Mise en bobine12T1442RL
Bandes découpées12T1442
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id200mA
On Resistance Rds(on)1.4ohm
Drain Source On State Resistance3.5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd300mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation300mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
BSS138-7-F is a 50V N-channel enhancement mode MOSFET with matte tin-plated terminals. The terminals can solderable as per MIL-STD-202, method 208. The case is made of molded plastic (UL94V-0). The MOSFET features low gate threshold voltage, fast switching speed and low input capacitance.
- Low on-resistance
- Low input/output leakage
- Halogen and antimony-free
- Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
On Resistance Rds(on)
1.4ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
300mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Drain Source On State Resistance
3.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour BSS138-7-F
6 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit