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BSS84W-7-F
Power MOSFET, P Channel, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-323, Surface Mount
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantBSS84W-7-FCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4576
Mise en bobine25R4432RL
Bandes découpées25R4432
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,523 $ | 0,52 $ |
| Total Prix | 0,52 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,523 $ |
| 50+ | 0,240 $ |
| 100+ | 0,213 $ |
| 250+ | 0,209 $ |
| 500+ | 0,204 $ |
| 1000+ | 0,200 $ |
| 2500+ | 0,196 $ |
| 5000+ | 0,192 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,108 $ |
| 6000+ | 0,102 $ |
| 9000+ | 0,095 $ |
| 15000+ | 0,094 $ |
| 30000+ | 0,091 $ |
| 75000+ | 0,089 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantBSS84W-7-FCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4576
Mise en bobine25R4432RL
Bandes découpées25R4432
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id130mA
Drain Source On State Resistance10ohm
On Resistance Rds(on)10ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Power Dissipation Pd200mW
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation200mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
The BSS84W-7-F is a P-channel enhancement-mode FET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over alloy 42 lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard. It is designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Low ON-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Halogen-free, Green device
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
Applications
Power Management, Defence, Military & Aerospace
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
10ohm
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
130mA
On Resistance Rds(on)
10ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
200mW
Power Dissipation
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit