Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMC2038LVT-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète07AH3729
Mise en bobine07AH3728RL
Bandes découpées07AH3728
Votre numéro de pièce
25 En Stock
25 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,110 $ | 1,11 $ |
| Total Prix | 1,11 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,110 $ |
| 50+ | 0,525 $ |
| 100+ | 0,466 $ |
| 250+ | 0,456 $ |
| 500+ | 0,448 $ |
| 1000+ | 0,438 $ |
| 2500+ | 0,428 $ |
| 5000+ | 0,420 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,306 $ |
| 9000+ | 0,272 $ |
| 15000+ | 0,267 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMC2038LVT-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète07AH3729
Mise en bobine07AH3728RL
Bandes découpées07AH3728
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.7A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel3.7A
Continuous Drain Current Id P Channel3.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.027ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.027ohm
Transistor Case StyleTSOT-26
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel800mW
Power Dissipation P Channel800mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
DMC2038LVT-7 is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintains superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include motor control, power management functions, DC-DC converters, and backlighting.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- 20V drain source voltage (P channel/N channel)
- 3.7A continuous drain current (P channel/N channel)
- 0.027ohm drain source on state resistance (P channel/N channel)
- 800mW power dissipation (P channel/N channel)
- TSOT26 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.027ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
800mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id
3.7A
Continuous Drain Current Id N Channel
3.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.027ohm
Transistor Case Style
TSOT-26
Power Dissipation N Channel
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits
