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DMC3016LSD-13
MOSFET, DUAL, N/P-CH, 30V, 8.2A
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 42 semaine(s)
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,420 $ |
| 10+ | 0,884 $ |
| 25+ | 0,782 $ |
| 50+ | 0,676 $ |
| 100+ | 0,573 $ |
| 250+ | 0,505 $ |
| 500+ | 0,438 $ |
| 1000+ | 0,395 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,42 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMC3016LSD-13Copie
Code Commande28AK8373
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id8.2A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel8.2A
Continuous Drain Current Id P Channel8.2A
Drain Source On State Resistance N Channel0.016ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.028ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel1.6W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
8.2A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.028ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.6W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
8.2A
Continuous Drain Current Id N Channel
8.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.016ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit