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DMG1012T-7
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 630 mA, 400 mohm, SOT-523, Surface Mount
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG1012T-7
Code Commande
Bobine complète86AK4729
Mise en bobine82Y6555
Bandes découpées82Y6555
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Fiche technique
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Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,395 $ |
| 10+ | 0,387 $ |
| 25+ | 0,384 $ |
| 50+ | 0,316 $ |
| 100+ | 0,262 $ |
| 250+ | 0,208 $ |
| 500+ | 0,173 $ |
| 1000+ | 0,142 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,178 $ |
| 6000+ | 0,146 $ |
| 12000+ | 0,127 $ |
| 18000+ | 0,116 $ |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG1012T-7
Code Commande
Bobine complète86AK4729
Mise en bobine82Y6555
Bandes découpées82Y6555
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id630mA
On Resistance Rds(on)0.3ohm
Drain Source On State Resistance400mohm
Transistor Case StyleSOT-523
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd280mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation280mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
DMG1012T-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage, ESD protected up to 2kV
- Drain-source voltage is 20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±6V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 0.63A at TA = +25°C, steady state
- Pulsed drain current is 3A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.28W at TA = +25°C
- SOT523 package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.3ohm
Transistor Case Style
SOT-523
Power Dissipation Pd
280mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
630mA
Drain Source On State Resistance
400mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
280mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
-
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit