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DMG1026UV-7
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG1026UV-7Copie
Code Commande
Mise en bobine07AH3737
Bandes découpées07AH3737
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| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,039 $ | 0,04 $ |
| Total Prix | 0,04 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,039 $ |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG1026UV-7Copie
Code Commande
Mise en bobine07AH3737
Bandes découpées07AH3737
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id410mA
Continuous Drain Current Id N Channel410mA
Continuous Drain Current Id P Channel410mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.2ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.2ohm
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel580mW
Power Dissipation P Channel580mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
410mA
Continuous Drain Current Id P Channel
410mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.2ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
580mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
410mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.2ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
580mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour DMG1026UV-7
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit