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DMG6601LVT-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.055 ohm
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG6601LVT-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4747
Mise en bobine82Y6568RL
Bandes découpées82Y6568
Votre numéro de pièce
97 En Stock
97 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,625 $ | 0,62 $ |
| Total Prix | 0,62 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,625 $ |
| 50+ | 0,382 $ |
| 100+ | 0,266 $ |
| 250+ | 0,237 $ |
| 500+ | 0,207 $ |
| 1000+ | 0,189 $ |
| 2500+ | 0,173 $ |
| 5000+ | 0,158 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,204 $ |
| 9000+ | 0,182 $ |
| 15000+ | 0,178 $ |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG6601LVT-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4747
Mise en bobine82Y6568RL
Bandes découpées82Y6568
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id3.8A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel3.8A
Continuous Drain Current Id P Channel3.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.034ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.034ohm
Transistor Case StyleTSOT-26
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel850mW
Power Dissipation P Channel850mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Complementary MOSFET
- Low On-Resistance
- Low Input Capacitance
- Fast Switching Speed
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.034ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
850mW
Product Range
-
MSL
-
Continuous Drain Current Id
3.8A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.034ohm
Transistor Case Style
TSOT-26
Power Dissipation N Channel
850mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit