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DMG6602SVT-7
MOSFET, COMPLEMENTARY, 30V, 3.4A, TSOT26
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG6602SVT-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète07AH3749
Mise en bobine07AH3748RL
Bandes découpées07AH3748
Votre numéro de pièce
7 908 En Stock
7 908 disponibles sur {packagingType}
30 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,803 $ | 4,02 $ |
| Total Prix | 4,02 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,803 $ |
| 10+ | 0,506 $ |
| 15+ | 0,467 $ |
| 25+ | 0,427 $ |
| 50+ | 0,377 $ |
| 125+ | 0,335 $ |
| 250+ | 0,328 $ |
| 500+ | 0,321 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,206 $ |
| 9000+ | 0,196 $ |
| 15000+ | 0,192 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG6602SVT-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète07AH3749
Mise en bobine07AH3748RL
Bandes découpées07AH3748
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id3.4A
Continuous Drain Current Id N Channel3.4A
Continuous Drain Current Id P Channel3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.038ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.038ohm
Transistor Case StyleTSOT-26
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel840mW
Power Dissipation P Channel840mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
3.4A
Continuous Drain Current Id P Channel
3.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.038ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
840mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.038ohm
Transistor Case Style
TSOT-26
Power Dissipation N Channel
840mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour DMG6602SVT-7
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits