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DMG6602SVTQ-7
MOSFET, AECQ101, COMPLEMENT, 30V, TSOT26
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG6602SVTQ-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète07AH3751
Mise en bobine07AH3750RL
Bandes découpées07AH3750
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bobine complète | 5 | 0,225 $ | 0,00 $ |
| Total Prix | 1,12 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,863 $ |
| 10+ | 0,548 $ |
| 15+ | 0,506 $ |
| 25+ | 0,463 $ |
| 50+ | 0,409 $ |
| 125+ | 0,364 $ |
| 250+ | 0,357 $ |
| 500+ | 0,350 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,225 $ |
| 9000+ | 0,221 $ |
| 15000+ | 0,217 $ |
Si vous souhaitez des quantités plus petites, vous pouvez sélectionner un autre type d’emballage
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG6602SVTQ-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète07AH3751
Mise en bobine07AH3750RL
Bandes découpées07AH3750
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id3.4A
Continuous Drain Current Id N Channel3.4A
Continuous Drain Current Id P Channel3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.038ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.038ohm
Transistor Case StyleTSOT-26
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel840mW
Power Dissipation P Channel840mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
3.4A
Continuous Drain Current Id P Channel
3.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.038ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
840mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.038ohm
Transistor Case Style
TSOT-26
Power Dissipation N Channel
840mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit