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DMN10H220L-7
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN10H220L-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète07AH3756
Mise en bobine07AH3755RL
Bandes découpées07AH3755
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,790 $ | 0,79 $ |
| Total Prix | 0,79 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,790 $ |
| 50+ | 0,371 $ |
| 100+ | 0,331 $ |
| 250+ | 0,324 $ |
| 500+ | 0,317 $ |
| 1000+ | 0,311 $ |
| 2500+ | 0,304 $ |
| 5000+ | 0,297 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,203 $ |
| 9000+ | 0,181 $ |
| 15000+ | 0,177 $ |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN10H220L-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète07AH3756
Mise en bobine07AH3755RL
Bandes découpées07AH3755
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id1.4A
On Resistance Rds(on)0.22ohm
Drain Source On State Resistance0.22ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.3W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
DMN10H220L-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management applications and load switches.
- Low on resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is 100V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±16V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 1.6A at TA = +25°C, VGS = 10V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is 8A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 1.3W at TA = +25°C
- Maximum continuous body diode forward current is 0.6A at TA = +25°C
- SOT23 (standard) package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.22ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
1.3W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour DMN10H220L-7
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit