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DMN2056U-7
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 20V, SOT-23
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN2056U-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4763
Mise en bobine12AC0703RL
Bandes découpées12AC0703
Votre numéro de pièce
3 206 En Stock
3 206 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bobine complète | 5 | 0,132 $ | 0,00 $ |
| Total Prix | 0,66 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,521 $ |
| 15+ | 0,330 $ |
| 25+ | 0,323 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,132 $ |
| 9000+ | 0,116 $ |
| 15000+ | 0,109 $ |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN2056U-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4763
Mise en bobine12AC0703RL
Bandes découpées12AC0703
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance0.038ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation660mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
660mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.038ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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