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DMN3009LFVQ-13
MOSFET, N-CH, 30V, 60A, POWERDI 3333 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN3009LFVQ-13
Code Commande36AJ8871
Votre numéro de pièce
Fiche technique
2 949 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,886 $ |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN3009LFVQ-13
Code Commande36AJ8871
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.0035ohm
Drain Source On State Resistance3500µohm
Transistor Case StylePowerDI 3333
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd2W
Power Dissipation2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0035ohm
Transistor Case Style
PowerDI 3333
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
2W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits