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DMN3016LFDE-7
MOSFET, N-CH, 30V, 10A, U-DFN2020
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN3016LFDE-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande28AK8536
Votre numéro de pièce
60 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,889 $ |
| 10+ | 0,654 $ |
| 25+ | 0,574 $ |
| 50+ | 0,495 $ |
| 100+ | 0,417 $ |
| 250+ | 0,367 $ |
| 500+ | 0,316 $ |
| 1000+ | 0,280 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
4,44 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN3016LFDE-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande28AK8536
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance8000µohm
On Resistance Rds(on)0.008ohm
Transistor Case StyleU-DFN2020
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation730mW
Power Dissipation Pd730mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Case Style
U-DFN2020
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
730mW
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
On Resistance Rds(on)
0.008ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
730mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit