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DMN3016LFDF-7
MOSFET, N-CH, 30V, 10A, U-DFN2020
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN3016LFDF-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande36AJ3585
Votre numéro de pièce
1 748 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,050 $ |
| 10+ | 0,616 $ |
| 25+ | 0,551 $ |
| 50+ | 0,486 $ |
| 100+ | 0,420 $ |
| 250+ | 0,370 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
5,25 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN3016LFDF-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande36AJ3585
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.012ohm
On Resistance Rds(on)0.008ohm
Transistor Case StyleU-DFN2020
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation2.02W
Power Dissipation Pd2.02W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
Transistor Case Style
U-DFN2020
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.02W
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
On Resistance Rds(on)
0.008ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
2.02W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit