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DMN3190LDWQ-7
DUAL MOSFET, N-CH, 30V, 1A, SOT-363 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
2 040 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,040 $ |
| 10+ | 0,563 $ |
| 25+ | 0,508 $ |
| 50+ | 0,451 $ |
| 100+ | 0,395 $ |
| 250+ | 0,390 $ |
| 500+ | 0,365 $ |
| 1000+ | 0,310 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
5,20 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN3190LDWQ-7
Code Commande12AJ7120
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel1A
Continuous Drain Current Id P Channel1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.122ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.122ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel320mW
Power Dissipation P Channel320mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.122ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
320mW
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
1A
Continuous Drain Current Id N Channel
1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.122ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
320mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits