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DMN32D2LDF-7
DUAL MOSFET, N-CH, 30V, 0.4A, SOT-353 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 565 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,543 $ |
| 10+ | 0,351 $ |
| 25+ | 0,308 $ |
| 50+ | 0,266 $ |
| 100+ | 0,223 $ |
| 250+ | 0,195 $ |
| 500+ | 0,166 $ |
| 1000+ | 0,131 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
2,72 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN32D2LDF-7
Code Commande88AH6199
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id400mA
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel400mA
Continuous Drain Current Id P Channel400mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.2ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.2ohm
Transistor Case StyleSOT-353
No. of Pins5Pins
Power Dissipation N Channel280mW
Power Dissipation P Channel280mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
400mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.2ohm
No. of Pins
5Pins
Power Dissipation P Channel
280mW
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
400mA
Continuous Drain Current Id N Channel
400mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.2ohm
Transistor Case Style
SOT-353
Power Dissipation N Channel
280mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour DMN32D2LDF-7
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits