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DMN4020LFDE-7
MOSFET, N-CH, 40V, 8A, U-DFN2020
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN4020LFDE-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande36AJ3589
Votre numéro de pièce
8 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,280 $ |
| 10+ | 0,791 $ |
| 25+ | 0,698 $ |
| 50+ | 0,604 $ |
| 100+ | 0,511 $ |
| 250+ | 0,449 $ |
| 500+ | 0,390 $ |
| 1000+ | 0,351 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
6,40 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN4020LFDE-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande36AJ3589
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id8A
On Resistance Rds(on)0.015ohm
Drain Source On State Resistance0.015ohm
Transistor Case StyleU-DFN2020
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation2.03W
Power Dissipation Pd2.03W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.015ohm
Transistor Case Style
U-DFN2020
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.03W
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source On State Resistance
0.015ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation Pd
2.03W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit