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DMN53D0L-7
MOSFET, N-CH, 50V, 0.5A, SOT-23
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN53D0L-7Copie
Code Commande
Mise en bobine28AK8597
Bandes découpées28AK8597
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2 618 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,508 $ | 2,54 $ |
| Total Prix | 2,54 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,508 $ |
| 10+ | 0,308 $ |
| 25+ | 0,269 $ |
| 50+ | 0,230 $ |
| 100+ | 0,191 $ |
| 250+ | 0,166 $ |
| 500+ | 0,141 $ |
| 1000+ | 0,124 $ |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN53D0L-7Copie
Code Commande
Mise en bobine28AK8597
Bandes découpées28AK8597
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id500mA
On Resistance Rds(on)1.6ohm
Drain Source On State Resistance1.6ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation Pd370mW
Power Dissipation370mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
On Resistance Rds(on)
1.6ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
370mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
Drain Source On State Resistance
1.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation
370mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit