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DMN53D0U-7
MOSFET, N-CH, 50V, 0.3A, SOT-23
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN53D0U-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Mise en bobine28AK8600RL
Bandes découpées28AK8600
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,466 $ | 2,33 $ |
| Total Prix | 2,33 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,466 $ |
| 15+ | 0,290 $ |
| 25+ | 0,284 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN53D0U-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Mise en bobine28AK8600RL
Bandes découpées28AK8600
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id300mA
On Resistance Rds(on)2ohm
Drain Source On State Resistance2ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation520mW
Power Dissipation Pd520mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
On Resistance Rds(on)
2ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
520mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
300mA
Drain Source On State Resistance
2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
520mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit