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DMN6075SQ-13
MOSFET, N-CH, 60V, 2A, 150DEG C, 0.8W
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN6075SQ-13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4785
Mise en bobine68AH9549RL
Bandes découpées68AH9549
Votre numéro de pièce
31 En Stock
31 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,944 $ | 4,72 $ |
| Total Prix | 4,72 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,944 $ |
| 50+ | 0,606 $ |
| 100+ | 0,408 $ |
| 250+ | 0,365 $ |
| 500+ | 0,321 $ |
| 1000+ | 0,293 $ |
| 2500+ | 0,270 $ |
| 5000+ | 0,244 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 10000+ | 0,173 $ |
| 20000+ | 0,164 $ |
| 40000+ | 0,157 $ |
| 60000+ | 0,151 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN6075SQ-13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4785
Mise en bobine68AH9549RL
Bandes découpées68AH9549
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2A
On Resistance Rds(on)0.069ohm
Drain Source On State Resistance0.085ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd800mW
Power Dissipation800mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.069ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
800mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Drain Source On State Resistance
0.085ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit