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DMN61D9UWQ-13
MOSFET, N-CH, 60V, 0.34A, SOT-323
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN61D9UWQ-13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande28AK8631
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 43 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,530 $ |
| 10+ | 0,321 $ |
| 25+ | 0,281 $ |
| 50+ | 0,241 $ |
| 100+ | 0,201 $ |
| 250+ | 0,176 $ |
| 500+ | 0,148 $ |
| 1000+ | 0,132 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
2,65 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN61D9UWQ-13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande28AK8631
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id340mA
On Resistance Rds(on)1.2ohm
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd320mW
Power Dissipation320mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
1.2ohm
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation Pd
320mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
340mA
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
320mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit