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DMN65D8L-7
MOSFET, N-CH, 20V, SOT-23-3
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN65D8L-7Copie
Code Commande
Bobine complète86AK4794
Mise en bobine82Y6582RL
Bandes découpées82Y6582
Votre numéro de pièce
20 201 En Stock
20 201 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,256 $ | 0,26 $ |
| Total Prix | 0,26 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,256 $ |
| 50+ | 0,118 $ |
| 100+ | 0,104 $ |
| 250+ | 0,101 $ |
| 500+ | 0,098 $ |
| 1000+ | 0,095 $ |
| 2500+ | 0,092 $ |
| 5000+ | 0,085 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,060 $ |
| 9000+ | 0,052 $ |
| 15000+ | 0,050 $ |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN65D8L-7Copie
Code Commande
Bobine complète86AK4794
Mise en bobine82Y6582RL
Bandes découpées82Y6582
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id310mA
On Resistance Rds(on)2ohm
Drain Source On State Resistance3ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd370mW
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation370mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
DMN65D8L-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management applications. Typical applications include DC-DC converters, power-management functions, battery-operated systems and solid-state relays, drivers: relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories, transistors, etc.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Small surface-mount package, ESD protected gate
- Drain-source voltage is 60V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 310mA at TA = +25°C, steady state, VGS = 10V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is 800mA at TA = +25°C
- Total power dissipation is 370mW at TA = +25°C
- SOT23 (standard) package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
2ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
310mA
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
370mW
Power Dissipation
370mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour DMN65D8L-7
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit