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DMNH10H021SPSW-13
MOSFET, N-CH, 100V, 58A, POWERDI 5060 ROHS COMPLIANT: YES
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 17 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,160 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,16 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMNH10H021SPSW-13
Code Commande36AJ8865
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source On State Resistance0.016ohm
On Resistance Rds(on)0.016ohm
Transistor Case StylePowerDI 5060
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation4.4W
Power Dissipation Pd4.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
Transistor Case Style
PowerDI 5060
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
4.4W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
58A
On Resistance Rds(on)
0.016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
4.4W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits