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DMP1009UFDFQ-7
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 11 A, 8300 µohm, U-DFN2020, Surface Mount
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMP1009UFDFQ-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande28AK8672
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 42 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,320 $ |
| 10+ | 0,819 $ |
| 25+ | 0,723 $ |
| 50+ | 0,629 $ |
| 100+ | 0,533 $ |
| 250+ | 0,472 $ |
| 500+ | 0,410 $ |
| 1000+ | 0,370 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,32 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMP1009UFDFQ-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande28AK8672
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id11A
On Resistance Rds(on)0.0083ohm
Drain Source On State Resistance8300µohm
Transistor Case StyleU-DFN2020
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd800mW
Power Dissipation800mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
On Resistance Rds(on)
0.0083ohm
Transistor Case Style
U-DFN2020
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
800mW
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
11A
Drain Source On State Resistance
8300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit