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DMP1022UFDEQ-7
MOSFET, P-CH, 12V, 9.1A, U-DFN2020
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMP1022UFDEQ-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande28AK8675
Votre numéro de pièce
2 275 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,820 $ |
| 10+ | 1,140 $ |
| 25+ | 1,010 $ |
| 50+ | 0,879 $ |
| 100+ | 0,750 $ |
| 250+ | 0,666 $ |
| 500+ | 0,581 $ |
| 1000+ | 0,527 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,82 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMP1022UFDEQ-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande28AK8675
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id9.1A
Drain Source On State Resistance0.012ohm
On Resistance Rds(on)0.012ohm
Transistor Case StyleU-DFN2020
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation660mW
Power Dissipation Pd660mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
Transistor Case Style
U-DFN2020
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
660mW
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
9.1A
On Resistance Rds(on)
0.012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
Power Dissipation Pd
660mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit