Imprimer la page
DMP3056LSDQ-13
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMP3056LSDQ-13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Mise en bobine28AK8753RL
Bandes découpées28AK8753
Votre numéro de pièce
1 628 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,910 $ | 1,91 $ |
| Total Prix | 1,91 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,910 $ |
| 10+ | 1,200 $ |
| 25+ | 1,080 $ |
| 50+ | 0,958 $ |
| 100+ | 0,843 $ |
| 250+ | 0,683 $ |
| 500+ | 0,523 $ |
| 1000+ | 0,484 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMP3056LSDQ-13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Mise en bobine28AK8753RL
Bandes découpées28AK8753
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id6.9A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel6.9A
Continuous Drain Current Id P Channel6.9A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.045ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.5W
Power Dissipation P Channel2.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
6.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.045ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.5W
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
6.9A
Continuous Drain Current Id N Channel
6.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit