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DMP3085LSD-13
MOSFET, DUAL P-CH, -30V, -3.9A, SOIC
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMP3085LSD-13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4823
Mise en bobine07AH3809RL
Bandes découpées07AH3809
Votre numéro de pièce
4 990 En Stock
4 990 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,754 $ | 3,77 $ |
| Total Prix | 3,77 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,754 $ |
| 10+ | 0,484 $ |
| 25+ | 0,431 $ |
| 50+ | 0,377 $ |
| 100+ | 0,324 $ |
| 250+ | 0,290 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,198 $ |
| 5000+ | 0,188 $ |
| 10000+ | 0,178 $ |
| 15000+ | 0,169 $ |
| 25000+ | 0,155 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMP3085LSD-13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4823
Mise en bobine07AH3809RL
Bandes découpées07AH3809
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id3.9A
Continuous Drain Current Id N Channel3.9A
Continuous Drain Current Id P Channel3.9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.05ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.05ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.1W
Power Dissipation P Channel1.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
3.9A
Continuous Drain Current Id P Channel
3.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.05ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.05ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit