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DMT10H010LSS-13
MOSFET, N-CH, 100V, 29.5A, SOIC
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMT10H010LSS-13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande28AK8857
Votre numéro de pièce
235 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,090 $ |
| 10+ | 1,960 $ |
| 25+ | 1,760 $ |
| 50+ | 1,550 $ |
| 100+ | 1,340 $ |
| 250+ | 1,200 $ |
| 500+ | 1,060 $ |
| 1000+ | 0,971 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,09 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMT10H010LSS-13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande28AK8857
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id29.5A
Drain Source On State Resistance8000µohm
On Resistance Rds(on)0.008ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation Pd1.4W
Power Dissipation1.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.4W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
29.5A
On Resistance Rds(on)
0.008ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
Power Dissipation
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit