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DMTH47M2LPSWQ-13
MOSFET, N-CH, 40V, POWERDI 5060
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMTH47M2LPSWQ-13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande36AJ8883
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 42 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,740 $ |
| 10+ | 1,090 $ |
| 25+ | 0,964 $ |
| 50+ | 0,839 $ |
| 100+ | 0,713 $ |
| 250+ | 0,633 $ |
| 500+ | 0,554 $ |
| 1000+ | 0,502 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,74 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMTH47M2LPSWQ-13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande36AJ8883
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id-
Drain Source On State Resistance5700µohm
On Resistance Rds(on)0.0057ohm
Transistor Case StylePowerDI 5060
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation Pd3.8W
Power Dissipation3.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
5700µohm
Transistor Case Style
PowerDI 5060
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
3.8W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
-
On Resistance Rds(on)
0.0057ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
Power Dissipation
3.8W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit