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DMTH6005LPSQ-13
MOSFET, N-CH, 60V, 100A, POWERDI 5060
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMTH6005LPSQ-13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande32AK9141
Votre numéro de pièce
2 375 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,370 $ |
| 10+ | 2,170 $ |
| 25+ | 1,940 $ |
| 50+ | 1,700 $ |
| 100+ | 1,460 $ |
| 250+ | 1,320 $ |
| 500+ | 1,210 $ |
| 1000+ | 1,160 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,37 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMTH6005LPSQ-13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande32AK9141
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0044ohm
Drain Source On State Resistance4400µohm
Transistor Case StylePowerDI 5060
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd150W
Power Dissipation150W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0044ohm
Transistor Case Style
PowerDI 5060
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
150W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
4400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit