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DMTH6010LPSQ-13
MOSFET, N-CH, 60V, 100A, POWERDI 5060 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMTH6010LPSQ-13
Code Commande
Mise en bobine28AK8842
Bandes découpées28AK8842
Votre numéro de pièce
Fiche technique
2 324 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,330 $ |
| 10+ | 1,840 $ |
| 25+ | 1,630 $ |
| 50+ | 1,440 $ |
| 100+ | 1,240 $ |
| 250+ | 1,150 $ |
| 500+ | 1,090 $ |
| 1000+ | 1,050 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMTH6010LPSQ-13
Code Commande
Mise en bobine28AK8842
Bandes découpées28AK8842
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance6400µohm
On Resistance Rds(on)0.0064ohm
Transistor Case StylePowerDI 5060
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd136W
Power Dissipation136W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
6400µohm
Transistor Case Style
PowerDI 5060
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
136W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.0064ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
136W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits