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DMTH8028LPSWQ-13
MOSFET, N-CH, 80V, POWERDI 5060
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMTH8028LPSWQ-13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande36AJ8887
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 42 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,490 $ |
| 10+ | 0,929 $ |
| 25+ | 0,822 $ |
| 50+ | 0,715 $ |
| 100+ | 0,608 $ |
| 250+ | 0,538 $ |
| 500+ | 0,470 $ |
| 1000+ | 0,462 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,49 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMTH8028LPSWQ-13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande36AJ8887
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id-
Drain Source On State Resistance0.018ohm
On Resistance Rds(on)0.018ohm
Transistor Case StylePowerDI 5060
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation3.9W
Power Dissipation Pd3.9W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Case Style
PowerDI 5060
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.9W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
-
On Resistance Rds(on)
0.018ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
3.9W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit