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MMBF170-7-F
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 800 mA, 5 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantMMBF170-7-FCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5575
Mise en bobine51R6804RL
Bandes découpées51R6804
Votre numéro de pièce
1 337 En Stock
1 337 disponibles sur {packagingType}
6 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,415 $ | 0,42 $ |
| Total Prix | 0,42 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,415 $ |
| 50+ | 0,243 $ |
| 100+ | 0,166 $ |
| 250+ | 0,146 $ |
| 500+ | 0,126 $ |
| 1000+ | 0,115 $ |
| 2500+ | 0,114 $ |
| 5000+ | 0,105 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,113 $ |
| 9000+ | 0,098 $ |
| 15000+ | 0,097 $ |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantMMBF170-7-FCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5575
Mise en bobine51R6804RL
Bandes découpées51R6804
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id800mA
Drain Source On State Resistance5ohm
On Resistance Rds(on)5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd300mW
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation300mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The MMBF170-7-F is a N-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over alloy 42 lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard.
- Low ON-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- Halogen-free, Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
Applications
Power Management, Automotive, Defence, Military & Aerospace
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
800mA
On Resistance Rds(on)
5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
300mW
Power Dissipation
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour MMBF170-7-F
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit