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MMBT5401-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 150 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, Surface Mount
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantMMBT5401-7-FCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande
Bobine complète07AH4157
Mise en bobine07AH4156RL
Bandes découpées07AH4156
Votre numéro de pièce
7 750 En Stock
7 750 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,446 $ | 0,45 $ |
| Total Prix | 0,45 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,446 $ |
| 50+ | 0,200 $ |
| 100+ | 0,175 $ |
| 250+ | 0,171 $ |
| 500+ | 0,168 $ |
| 1000+ | 0,164 $ |
| 2500+ | 0,161 $ |
| 5000+ | 0,157 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,079 $ |
| 9000+ | 0,068 $ |
| 15000+ | 0,067 $ |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantMMBT5401-7-FCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande
Bobine complète07AH4157
Mise en bobine07AH4156RL
Bandes découpées07AH4156
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max150V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo150V
DC Collector Current600mA
Continuous Collector Current600mA
Power Dissipation310mW
Power Dissipation Pd310mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency300MHz
DC Current Gain hFE Min60hFE
DC Current Gain hFE50hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
MMBT5401-7-F is a PNP high-voltage transistor.
- Epitaxial planar die construction
- Complementary NPN type - MMBT5551
- Ideal for low-power amplification and switching
- SOT23 package
- Power dissipation is 310mW at TA = +25°C
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
- Collector-emitter saturation voltage is -0.2V max at IC = -10mA, IB = -1mA, TA = +25°C
- Current gain-bandwidth product is 300MHz max at VCE = -10V, IC = -10mA, f = 100MHz
- Noise figure is 8.0dB max at VCE = -5V, IC = -200μA, RS = 10 ohm, f = 1kHz
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
150V
Continuous Collector Current
600mA
Power Dissipation Pd
310mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
300MHz
DC Current Gain hFE
50hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
150V
DC Collector Current
600mA
Power Dissipation
310mW
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
60hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MMBT5401-7-F
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits