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MMDT5551-7-F
Bipolar Transistor Array, Dual, Dual NPN, 160 V, 200 mA, 200 mW
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantMMDT5551-7-FCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5604
Mise en bobine51R6838RL
Bandes découpées51R6838
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,567 $ | 2,84 $ |
| Total Prix | 2,84 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,567 $ |
| 50+ | 0,359 $ |
| 100+ | 0,236 $ |
| 250+ | 0,209 $ |
| 500+ | 0,180 $ |
| 1000+ | 0,163 $ |
| 2500+ | 0,160 $ |
| 5000+ | 0,156 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,137 $ |
| 9000+ | 0,120 $ |
| 15000+ | 0,115 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantMMDT5551-7-FCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5604
Mise en bobine51R6838RL
Bandes découpées51R6838
Fiche technique
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN160V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN200mA
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN200mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN80hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN300MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The MMDT5551-7-F is a dual NPN small signal surface-mount Bipolar Transistor Array offers 200mA continuous collector current and 180V collector-base voltage. It is ideal for medium power amplification and switching applications.
- UL94V-0 Flammability rating
- Epitaxial planar die construction
- Ultra-small surface-mount package
- Green device
- PNP complementary MMDT5401
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Defence, Military & Aerospace, Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
160V
Continuous Collector Current NPN
200mA
Power Dissipation NPN
200mW
DC Current Gain hFE Min NPN
80hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
300MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour MMDT5551-7-F
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit