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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZTX757Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande98K4087
Votre numéro de pièce
3 264 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,130 $ |
| 10+ | 1,410 $ |
| 100+ | 1,000 $ |
| 500+ | 0,821 $ |
| 1000+ | 0,763 $ |
| 2500+ | 0,701 $ |
| 10000+ | 0,639 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,13 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZTX757Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande98K4087
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max300V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo300V
Continuous Collector Current500mA
Power Dissipation1W
Power Dissipation Pd1W
DC Collector Current500mA
Transistor Case StyleE-Line
Transistor MountingThrough Hole
DC Current Gain hFE50hFE
No. of Pins3Pins
Transition Frequency30MHz
DC Current Gain hFE Min50hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The ZTX757 is a PNP silicon planar medium power high voltage Bipolar Transistor offers -0.5A continuous collector current and -300V collector-base voltage.
- -55 to 200°C Operating temperature range
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
300V
Power Dissipation
1W
DC Collector Current
500mA
Transistor Mounting
Through Hole
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
50hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
300V
Continuous Collector Current
500mA
Power Dissipation Pd
1W
Transistor Case Style
E-Line
DC Current Gain hFE
50hFE
Transition Frequency
30MHz
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (4)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
