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ZVP2106A
MOSFET, P, -60V, -0.32A, E-LINE
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZVP2106ACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande85K9995
Votre numéro de pièce
15 619 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,690 $ |
| 10+ | 1,790 $ |
| 100+ | 1,270 $ |
| 500+ | 1,040 $ |
| 1000+ | 0,972 $ |
| 2500+ | 0,895 $ |
| 10000+ | 0,818 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,69 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZVP2106ACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande85K9995
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id280mA
Drain Source On State Resistance5ohm
On Resistance Rds(on)4ohm
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd700mW
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation700mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
The ZVP2106A is a P-channel enhancement mode MOSFET Transistor with -4A pulsed drain current.
- ±20V Gate Source Voltage
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Case Style
TO-226AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
280mA
On Resistance Rds(on)
4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
700mW
Power Dissipation
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (4)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit