Imprimer la page
ZXM61N02F
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
2 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,864 $ |
| 10+ | 0,683 $ |
| 25+ | 0,583 $ |
| 50+ | 0,501 $ |
| 100+ | 0,434 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,86 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXM61N02F
Code Commande98K4137
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.7A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
On Resistance Rds(on)0.18ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd806mW
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation625mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Produits de remplacement pour ZXM61N02F
3 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The ZXM61N02F is an N-channel Enhancement Mode MOSFET utilizes an unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage applications.
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Low threshold
- Low gate drive
Applications
Power Management, Motor Drive & Control
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
On Resistance Rds(on)
0.18ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
806mW
Power Dissipation
625mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Produits associés
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit