Imprimer la page
ZXMC3A16DN8TC
MOSFET, DUAL, N/P-CH, 30V, 6.4A
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXMC3A16DN8TCCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande
Mise en bobine29AK9146RL
Bandes découpées29AK9146
Votre numéro de pièce
2 453 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,870 $ | 2,87 $ |
| Total Prix | 2,87 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,870 $ |
| 10+ | 1,840 $ |
| 25+ | 1,630 $ |
| 50+ | 1,440 $ |
| 100+ | 1,240 $ |
| 250+ | 1,110 $ |
| 500+ | 0,986 $ |
| 1000+ | 0,943 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXMC3A16DN8TCCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande
Mise en bobine29AK9146RL
Bandes découpées29AK9146
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id6.4A
Continuous Drain Current Id N Channel6.4A
Continuous Drain Current Id P Channel6.4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.035ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.048ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.1W
Power Dissipation P Channel2.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
6.4A
Continuous Drain Current Id P Channel
6.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.048ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.1W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.035ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit