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ZXMC3A17DN8TA
MOSFET, DUAL, NP, 30V, SO-8
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXMC3A17DN8TACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6600
Mise en bobine62M1299RL
Bandes découpées62M1299
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 43 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bobine complète | 1 | 1,300 $ | 0,00 $ |
| Total Prix | 1,30 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,270 $ |
| 50+ | 1,710 $ |
| 100+ | 1,560 $ |
| 250+ | 1,530 $ |
| 500+ | 1,500 $ |
| 1000+ | 1,460 $ |
| 2500+ | 1,430 $ |
| 5000+ | 1,400 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 1,300 $ |
| 1500+ | 1,170 $ |
| 2500+ | 1,140 $ |
Si vous souhaitez des quantités plus petites, vous pouvez sélectionner un autre type d’emballage
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXMC3A17DN8TACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6600
Mise en bobine62M1299RL
Bandes découpées62M1299
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel4.4A
Continuous Drain Current Id P Channel4.4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.07ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.07ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.1W
Power Dissipation P Channel2.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.07ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.1W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.07ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit