Imprimer la page
ZXMN2A01FTA
Power MOSFET, Low Voltage, N Channel, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,857 $ |
| 10+ | 0,633 $ |
| 25+ | 0,570 $ |
| 50+ | 0,506 $ |
| 100+ | 0,444 $ |
| 250+ | 0,399 $ |
| 500+ | 0,355 $ |
| 1000+ | 0,327 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
4,28 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXMN2A01FTA
Code Commande38K9591
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source On State Resistance0.12ohm
On Resistance Rds(on)0.12ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd806mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation806mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Aperçu du produit
The ZXMN2A01FTA is a N-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin-finish annealed over copper alloy 42 lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard. It is designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Low ON-resistance
- Fast switching speed
- Low gate drive
- Low threshold
- Small surface-mount package
- Halogen-free, Green device
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
Applications
Power Management, Motor Drive & Control, Defence, Military & Aerospace, Automotive
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
806mW
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
On Resistance Rds(on)
0.12ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
806mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour ZXMN2A01FTA
1 produit trouvé
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit