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ZXMN3A14FQTA
MOSFET, N-CH, 30V, 3.9A, SOT-23
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXMN3A14FQTACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande29AK9172
Votre numéro de pièce
2 555 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,550 $ |
| 10+ | 1,020 $ |
| 25+ | 0,901 $ |
| 50+ | 0,789 $ |
| 100+ | 0,673 $ |
| 250+ | 0,602 $ |
| 500+ | 0,530 $ |
| 1000+ | 0,481 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,55 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXMN3A14FQTACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande29AK9172
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.9A
On Resistance Rds(on)0.048ohm
Drain Source On State Resistance0.048ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation Pd1W
Power Dissipation1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.048ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.9A
Drain Source On State Resistance
0.048ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit