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| Fabricant | DIODES INC. |
|---|---|
| Réf. Fabricant | ZXMN6A07FTACopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 42 semaines |
| Code Commande | Mise en bobine87K2357RL Bandes découpées87K2357 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
460 973 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,240 $ | 1,24 $ |
| Total Prix | 1,24 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,240 $ |
| 50+ | 0,592 $ |
| 100+ | 0,528 $ |
| 250+ | 0,517 $ |
| 500+ | 0,507 $ |
| 1000+ | 0,496 $ |
| 2500+ | 0,487 $ |
| 5000+ | 0,475 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | DIODES INC. |
|---|---|
| Réf. Fabricant | ZXMN6A07FTACopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 42 semaines |
| Code Commande | Mise en bobine87K2357RL Bandes découpées87K2357 |
| Fiche technique | |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source Voltage Vds | 60V |
| Continuous Drain Current Id | 1.4A |
| Drain Source On State Resistance | 0.25ohm |
| On Resistance Rds(on) | 0.4ohm |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Power Dissipation Pd | 806mW |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 3V |
| Power Dissipation | 806mW |
| No. of Pins | 3Pins |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Product Range | - |
| Qualification | - |
| MSL | - |
| SVHC | No SVHC (04-Feb-2026) |
Aperçu du produit
The ZXMN6A07FTA is a N-channel Enhancement Mode MOSFET with matte tin-plated terminals and UL94V-0 flame-rated moulded plastic case. This MOSFET utilizes an unique structure combining the benefits of low on-state resistance with fast switching speed.
- Low on resistance
- Low gate threshold voltage
- Fast switching speed
- AEC-Q101 Qualified
- PPAP capable
- Level-1 per J-STD-020 moisture sensitivity
- Green product
Applications
Power Management, Motor Drive & Control
Spécifications techniques
| Transistor Polarity | N Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 60V |
| Drain Source On State Resistance | 0.25ohm |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 3V |
| No. of Pins | 3Pins |
| Product Range | - |
| MSL | - |
| Channel Type | N Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 1.4A |
| On Resistance Rds(on) | 0.4ohm |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Power Dissipation Pd | 806mW |
| Power Dissipation | 806mW |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Qualification | - |
| SVHC | No SVHC (04-Feb-2026) |
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (04-Feb-2026) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |
