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ZXMN6A07FTA
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 1 A, 0.4 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
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| 1+ | 0,122 $ |
| 10+ | 0,122 $ |
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| 50+ | 0,122 $ |
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| 1000+ | 0,122 $ |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXMN6A07FTA
Code Commande87K2357
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.4A
On Resistance Rds(on)0.4ohm
Drain Source On State Resistance0.25ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd806mW
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation806mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The ZXMN6A07FTA is a N-channel Enhancement Mode MOSFET with matte tin-plated terminals and UL94V-0 flame-rated moulded plastic case. This MOSFET utilizes an unique structure combining the benefits of low on-state resistance with fast switching speed.
- Low on resistance
- Low gate threshold voltage
- Fast switching speed
- AEC-Q101 Qualified
- PPAP capable
- Level-1 per J-STD-020 moisture sensitivity
- Green product
Applications
Power Management, Motor Drive & Control
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.4ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
806mW
Power Dissipation
806mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit