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ZXMN6A08E6
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 3.5 A, 0.08 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXMN6A08E6Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Mise en bobine98K4134RL
Bandes découpées98K4134
Votre numéro de pièce
3 294 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,690 $ | 1,69 $ |
| Total Prix | 1,69 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,690 $ |
| 50+ | 1,400 $ |
| 100+ | 1,260 $ |
| 250+ | 1,140 $ |
| 500+ | 1,000 $ |
| 1000+ | 0,899 $ |
| 2500+ | 0,744 $ |
| 5000+ | 0,723 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXMN6A08E6Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Mise en bobine98K4134RL
Bandes découpées98K4134
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id3.5A
Drain Source On State Resistance0.08ohm
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.7W
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The ZXMN6A08E6 is a N-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin-finish annealed over copper lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard. It is designed to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Low ON-resistance
- Fast switching speed
- Low threshold
- Low gate drive
- Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
Applications
Power Management, Motor Drive & Control, Defence, Military & Aerospace, Automotive
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.5A
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.7W
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit