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ZXMN6A11DN8TA
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 3.2 A, 0.18 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXMN6A11DN8TACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande
Mise en bobine62M1304RL
Bandes découpées62M1304
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 42 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,330 $ | 2,33 $ |
| Total Prix | 2,33 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,330 $ |
| 50+ | 1,530 $ |
| 100+ | 1,080 $ |
| 250+ | 1,070 $ |
| 500+ | 1,060 $ |
| 1000+ | 1,050 $ |
| 2500+ | 1,040 $ |
| 5000+ | 0,980 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXMN6A11DN8TACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande
Mise en bobine62M1304RL
Bandes découpées62M1304
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id3.2A
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel3.2A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.18ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.1W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The ZXMN6A11DN8TA is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET with unique structure combining the benefits of low ON-resistance and fast switching. It is ideal for DC-to-DC converter applications.
- Low ON-resistance
- Fast switching speed
- Low threshold
- Low gate drive
- Low profile
Applications
Industrial, Power Management, Motor Drive & Control
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.2A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.18ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit