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ZXT13N50DE6
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 4 A, 1.1 W, SOT-23, Surface Mount
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXT13N50DE6Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Mise en bobine98K4165RL
Bandes découpées98K4165
Votre numéro de pièce
344 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,440 $ | 1,44 $ |
| Total Prix | 1,44 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,440 $ |
| 10+ | 1,170 $ |
| 25+ | 1,040 $ |
| 50+ | 0,918 $ |
| 100+ | 0,786 $ |
| 250+ | 0,691 $ |
| 500+ | 0,547 $ |
| 1000+ | 0,526 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXT13N50DE6Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Mise en bobine98K4165RL
Bandes découpées98K4165
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo50V
Collector Emitter Voltage Max50V
Continuous Collector Current4A
Power Dissipation1.1W
Power Dissipation Pd1.1W
DC Collector Current4A
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins6Pins
Transition Frequency115MHz
DC Current Gain hFE Min450hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The ZXT13N50DE6 is a SuperSOT4™ NPN silicon low saturation switching Bipolar Transistor. It is a 4th generation ultra-low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency and low voltage switching applications.
- Extremely low equivalent ON-resistance
- Extremely low saturation voltage
- hFE characterised up to 10A
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
50V
Power Dissipation
1.1W
DC Collector Current
4A
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
115MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50V
Continuous Collector Current
4A
Power Dissipation Pd
1.1W
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
6Pins
DC Current Gain hFE Min
450hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit