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DID3A2N65
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 3.2 A, 2.6 ohm, TO-251 (IPAK), Surface Mount
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FabricantDIOTEC SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDID3A2N65
Code Commande26AM0850
Votre numéro de pièce
Fiche technique
285 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,777 $ |
| 10+ | 0,638 $ |
| 100+ | 0,462 $ |
| 500+ | 0,412 $ |
| 1000+ | 0,372 $ |
| 2500+ | 0,317 $ |
| 10000+ | 0,310 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5
Multiple: 5
3,89 $
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Informations produit
FabricantDIOTEC SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDID3A2N65
Code Commande26AM0850
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id3.2A
Drain Source On State Resistance2.6ohm
Transistor Case StyleTO-251 (IPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation54W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.2A
Transistor Case Style
TO-251 (IPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
54W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
2.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits