Imprimer la page
DIW065SIC080
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 36 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
60 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 13,850 $ |
| 10+ | 12,760 $ |
| 25+ | 11,930 $ |
| 50+ | 11,360 $ |
| 100+ | 10,800 $ |
| 250+ | 9,580 $ |
| 500+ | 9,390 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
13,85 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantDIOTEC
Réf. FabricantDIW065SIC080
Code Commande26AM0857
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation175W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
175W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits