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G2R120MT33J-TR
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 33 A, 3.3 kV, 0.156 ohm, TO-263 (D2PAK)
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 100+ | 167,360 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 800
Multiple: 800
133 888,00 $
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Informations produit
FabricantGENESIC
Réf. FabricantG2R120MT33J-TR
Code Commande14AM5526
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id33A
Drain Source Voltage Vds3.3kV
Drain Source On State Resistance0.156ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation366W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
33A
Drain Source On State Resistance
0.156ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
3.3kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
366W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit